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SI7374DP-T1-E3

SI7374DP-T1-E3
Mfr. #:
SI7374DP-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI7374DP-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI7374DP-E3
Gewichtseinheit
0.017870 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SO-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single mit Schottky-Diode
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
5 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
10 ns
Anstiegszeit
160 ns 15 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
23.8 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
5.5 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
30 ns 42 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
40 ns 15 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI737, SI73, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 30V 23.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
***
N-CH 30-V (D-S) W/SCHOTTKY
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:24000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0066ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.8V; Power Dissipation, Pd:5W ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI7374DP-T1-E3
DISTI # SI7374DP-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$1.6678
SI7374DP-T1-E3
DISTI # SI7374DP-T1-E3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7374DP-T1-E3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$1.5900
  • 6000:$1.5900
  • 12000:$1.4900
  • 18000:$1.4900
  • 30000:$1.3900
SI7374DP-T1-E3
DISTI # 781-SI7374DP-T1-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
RoHS: Compliant		0
  • 1:$3.2000
  • 10:$2.6500
  • 100:$2.1800
  • 250:$2.1100
  • 500:$1.9200
  • 1000:$1.9100
  • 3000:$1.9000
SI7374DP-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10VAmericas -
    Bild Teil # Beschreibung
    SI7374DP-T1-E3

    Mfr.#: SI7374DP-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI7374DP-T1-E3

    		 MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
    SI7374DP-T1-GE3

    Mfr.#: SI7374DP-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7374DP-T1-GE3

    		 MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
    SI7374DP-T1-E3

    Mfr.#: SI7374DP-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI7374DP-T1-E3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
    SI7374DP-T1-GE3

    Mfr.#: SI7374DP-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7374DP-T1-GE3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    5500
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    1
    2,08 $
    2,08 $
    10
    1,98 $
    19,81 $
    100
    1,88 $
    187,65 $
    500
    1,77 $
    886,15 $
    1000
    1,67 $
    1 668,00 $
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