DMN3051L-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

38 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.4 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMN3051

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.3 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5 S

Abfallzeit:

2.8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.2 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.4 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

DMN3051L-7, DMN3051, DMN305, DMN30, DMN3, DMN