IXTU01N100

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

80 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

25 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.22 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

IXTU01N100

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.38 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

160 mS

Abfallzeit:

28 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12 ns

Werkspackungsmenge:

70

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

28 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Gewichtseinheit:

0.015168 oz

Tags

IXTU01N, IXTU01, IXTU0, IXTU, IXT