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DTC114ESATP

DTC114ESATP
Mfr. #:
DTC114ESATP
Hersteller:
ROHM Semiconductor
Beschreibung:
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 50MA SPT
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
DTC114ESATP Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
DTC114ESATP DatasheetDTC114ESATP Datasheet (P4)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ROHM Halbleiter
Produktkategorie:
Bipolartransistoren – vorgespannt
RoHS:
Y
Aufbau:
Single
Polarität des Transistors:
NPN
Typischer Eingangswiderstand:
10 kOhms
Typisches Widerstandsverhältnis:
1
Montageart:
SMD/SMT
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
30
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
50 mA
Spitzen-DC-Kollektorstrom:
100 mA
Pd - Verlustleistung:
300 mW
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Munitionspackung
Höhe:
3 mm
Länge:
4 mm
Breite:
2 mm
Marke:
ROHM Halbleiter
Produktart:
BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt
Werkspackungsmenge:
1
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
DTC114ESA, DTC114ES, DTC114E, DTC114, DTC11, DTC1, DTC
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans Digital BJT NPN 100mA 3-Pin SPT T/R
***S
French Electronic Distributor since 1988
***ment14 APAC
TRANSISTOR; DIGITAL;SPT;NPN; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:30; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SC-72; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:250MHz; Hfe Min:30; Package / Case:SC-72; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:General Purpose
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
DTC114ESATP
DISTI # DTC114ESATP-ND		ROHM SemiconductorTRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tape & Box (TB)		Limited Supply - Call
    DTC114ESATP
    DISTI # 755-DTC114ESATP    		ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 50MA SPT
    RoHS: Compliant    		0
      DTC114ESATPROHM Semiconductor 1322
        DTC114ESATPROHM Semiconductor 1057
        • 279:$0.1200
        • 32:$0.1800
        • 1:$0.4000
        Bild Teil # Beschreibung
        DTC114TUBTL

        Mfr.#: DTC114TUBTL

        OMO.#: OMO-DTC114TUBTL

        		 Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 50V 100MA
        DTC115ECAHZGT116

        Mfr.#: DTC115ECAHZGT116

        OMO.#: OMO-DTC115ECAHZGT116-ROHM-SEMI

        		 NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
        DTC114TETL

        Mfr.#: DTC114TETL

        OMO.#: OMO-DTC114TETL-ROHM-SEMI

        		 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
        DTC115EKAT146

        Mfr.#: DTC115EKAT146

        OMO.#: OMO-DTC115EKAT146-ROHM-SEMI

        		 TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
        DTC115TUAT106

        Mfr.#: DTC115TUAT106

        OMO.#: OMO-DTC115TUAT106-ROHM-SEMI

        		 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
        DTC114EKAT1463000

        Mfr.#: DTC114EKAT1463000

        OMO.#: OMO-DTC114EKAT1463000-1190

        		 Neu und Original
        DTC114EUA T1O6

        Mfr.#: DTC114EUA T1O6

        OMO.#: OMO-DTC114EUA-T1O6-1190

        		 Neu und Original
        DTC114TKA

        Mfr.#: DTC114TKA

        OMO.#: OMO-DTC114TKA-1190

        		 Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-236
        DTC114TKA / 04

        Mfr.#: DTC114TKA / 04

        OMO.#: OMO-DTC114TKA-04-1190

        		 Neu und Original
        DTC115GKA / K29

        Mfr.#: DTC115GKA / K29

        OMO.#: OMO-DTC115GKA-K29-1190

        		 Neu und Original
        Verfügbarkeit
        Aktie:
        Available
        Auf Bestellung:
        2500
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