BR25L010FVJ-WE2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

EEPROM

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSSOP-B8J-8

Speichergröße:

1 kbit

Organisation:

128 x 8

Oberflächentyp:

Serial, 4-Wire, SDI, SPI

Vorratsdatenspeicherung:

40 Year

Maximale Taktfrequenz:

2 MHz

Versorgungsstrom - Max.:

3 mA

Versorgungsspannung - Min.:

1.8 V

Versorgungsspannung - Max.:

5.5 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 85 C

Serie:

BR25L010-W

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.85 mm

Länge:

3 mm

Breite:

3 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Betriebsversorgungsstrom:

3 mA

Betriebsversorgungsspannung:

2.5 V, 3.3 V, 5 V

Produktart:

EEPROM

Programmierspannung:

1.8 V to 5.5 V

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Speicher & Datenspeicherung

Teil # Aliase:

BR25L010FVJ-W

Tags

BR25L010FV, BR25L01, BR25L0, BR25L, BR25, BR2