MCR8DSMT4

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

SCRs

RoHS:

N

Breakover Current IBO Max:

90 A

Bewertete repetitive Ausschaltspannung VDRM:

600 V

Leckstrom im ausgeschalteten Zustand @ VDRM IDRM:

10 uA

Vf - Durchlassspannung:

1.8 V

Maximale Gate-Spitzen-Inversspannung:

18 V

Gate-Triggerspannung - Vgt:

1 V

Gate-Triggerstrom - Igt:

0.2 mA

Haltestrom Ih max:

6 mA

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 110 C

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3 (DPAK)

Verpackung:

Spule

Aktuelle Bewertung:

5.1 A

Höhe:

2.38 mm

Länge:

6.73 mm

Typ:

SCR

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor

Nicht repetitiver Einschaltstrom:

90 A

Produktart:

SCRs

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Thyristoren

Tags

MCR8DSMT, MCR8DSM, MCR8DS, MCR8D, MCR8, MCR