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TGF2018

TGF2018
Mfr. #:
TGF2018
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TGF2018 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TGF2018 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
pHEMT
Technologie:
GaAs
Gewinnen:
14 dB
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
8 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
- 15 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
58 mA
Maximale Drain-Gate-Spannung:
12 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
640 mW
Montageart:
SMD/SMT
Verpackung:
Gel-Pack
Aufbau:
Single
Arbeitsfrequenz:
20 GHz
Betriebstemperaturbereich:
- 65 C to + 150 C
Produkt:
HF-JFET
Serie:
TGF
Typ:
GaAs pHEMT
Marke:
Qorvo
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
70 mS
NF - Rauschzahl:
1 dB
P1dB - Kompressionspunkt:
22 dBm
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
100
Unterkategorie:
Transistoren
Teil # Aliase:
1098412
Tags
TGF20, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
Transistor, DC- 20 GHz, 22 dBm, 14.5 dB, 1 dB NF, 8V DIE
TGF2018/25 Heterojunction Power FETs
Qorvo TGF2018/25 High-Efficiency Heterojunction Power FETs operate from DC to 20 GHz and are designed using TriQuint's proven standard 0.25um power pHEMT production process. This process features advanced techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions. The TGF2018 typically provides 22 dBm of output power at P1dB with gain of 14 dB  and 55% power-added efficiency at 1 dB compression. The TGF2025 typically provides 24 dBm of output power at P1dB with gain of 14 dB and 58% power-added efficiency at 1 dB compression. This performance makes these appropriate for high efficiency applications. The protective overcoat layer with silicon nitride provides a level of environmental robustness and scratch protection.Learn More
Triquint GaAs pHEMt Low Noise Amplifiers
TriQuint offers a wide variety of discrete transistor components using TriQuint's state-of-the-art ultra-low-noise 0.13µm pHEMT and 0.25µm E-pHEMT processes. These discrete devices allow customers full control when designing the circuits of low noise amplifiers (LNAs). The various discrete FETs offer NFmin as low as 0.15 dB and are usable up to 22 GHz. Matched pair transistors are also available and are ideal for balanced LNA designs.Learn More
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TGF2018
DISTI # 772-TGF2018		QorvoRF JFET Transistors DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
RoHS: Compliant		200
  • 100:$5.8300
  • 300:$5.4500
  • 500:$5.0900
  • 1000:$4.7600
Bild Teil # Beschreibung
OPA171AIDBVR

Mfr.#: OPA171AIDBVR

OMO.#: OMO-OPA171AIDBVR

 Operational Amplifiers - Op Amps 36V,Low Power,RRO Gen Purp Op Amp
OPA171AIDBVR

Mfr.#: OPA171AIDBVR

OMO.#: OMO-OPA171AIDBVR-TEXAS-INSTRUMENTS

 Operational Amplifiers - Op Amps 36V,Low Power,RRO Gen Purp Op Amp
Verfügbarkeit
Aktie:
100
Auf Bestellung:
2083
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
100
5,83 $
583,00 $
300
5,45 $
1 635,00 $
500
5,09 $
2 545,00 $
1000
4,76 $
4 760,00 $
2500
4,74 $
11 850,00 $
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