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SI5445BDC-T1-E3

SI5445BDC-T1-E3
Mfr. #:
SI5445BDC-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET 8.0 Volt 7.1 Amp 2.1
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI5445BDC-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI5445BDC-T1-E3 DatasheetSI5445BDC-T1-E3 Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI5445BDC-E3
Gewichtseinheit
0.002998 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
ChipFET-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 P-Channel
Pd-Verlustleistung
1.3 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
22 ns
Anstiegszeit
22 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
8 V
ID-Dauer-Drain-Strom
5.2 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 8 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
33 mOhms
Transistor-Polarität
P-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
75 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
12 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI5445, SI544, SI54, SI5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ied Electronics & Automation
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -8V,RDS(ON) 0.027Ohm,ID -5.2A,1206-8 ChipFET,PD 1.3W
***ical
Trans MOSFET P-CH 8V 5.2A 8-Pin Chip FET T/R
***ark
MOSFET, P CH, -80V, 0.05OHM, -5.2A, 1206-8
***eco
P-CH 1206-8 CHIPFET 8V 33MOHM @ 2.5V
*** Americas
MOSFET P-CH VDS 8V VGS 8V ID 7.1A
***nell
MOSFET, P CH, -8V, -5.2A, CHIPFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.2A; Drain Source Voltage Vds:-8V; On Resistance Rds(on):0.027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-450mV; Power Dissipation Pd:1.3W; Transistor Case Style:ChipFET; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Operating Temperature Min:-55°C
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI5445BDC-T1-E3
DISTI # SI5445BDC-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI5445BDC-T1-E3
    DISTI # SI5445BDC-T1-E3CT-ND    		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      SI5445BDC-T1-E3
      DISTI # SI5445BDC-T1-E3DKR-ND      		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        SI5445BDC-T1-E3
        DISTI # 70026121        		Vishay SiliconixMOSFET,Power,P-Ch,VDSS -8V,RDS(ON) 0.027Ohm,ID -5.2A,1206-8 ChipFET,PD 1.3W
        RoHS: Compliant        		0
        • 3000:$0.4600
        • 6000:$0.4510
        • 15000:$0.4370
        • 30000:$0.4190
        • 75000:$0.3910
        SI5445BDC-T1-E3
        DISTI # 781-SI5445BDC-T1-E3        		Vishay IntertechnologiesMOSFET 8.0 Volt 7.1 Amp 2.1
        RoHS: Compliant        		0
          SI5445BDC-T1-E3Vishay Intertechnologies 911
            Bild Teil # Beschreibung
            SI5445BDC-T1-E3

            Mfr.#: SI5445BDC-T1-E3

            OMO.#: OMO-SI5445BDC-T1-E3-VISHAY

            		 IGBT Transistors MOSFET 8.0 Volt 7.1 Amp 2.1
            SI5445BDC-T1-GE3

            Mfr.#: SI5445BDC-T1-GE3

            OMO.#: OMO-SI5445BDC-T1-GE3-VISHAY

            		 MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
            Verfügbarkeit
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            Available
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            3500
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            1
            0,59 $
            0,59 $
            10
            0,56 $
            5,57 $
            100
            0,53 $
            52,79 $
            500
            0,50 $
            249,25 $
            1000
            0,47 $
            469,20 $
            Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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