2N7002ET7G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

310 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.5 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

0.81 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

420 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel MOSFET

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

530 mS

Abfallzeit:

3.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

1.2 ns

Werkspackungsmenge:

3500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

4.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

1.7 ns

Tags

2N7002ET, 2N7002E, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7