FF200R33KF2C

FF200R33KF2C
Mfr. #:
FF200R33KF2C
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT Modules 3300V 200A DUAL
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FF200R33KF2C Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
FF200R33KF2C Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
IGBT-Module
RoHS:
N
Produkt:
IGBT Silizium Module
Aufbau:
Verhexen
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
1200 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
2.15 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
140 A
Gate-Emitter-Leckstrom:
400 nA
Pd - Verlustleistung:
480 W
Paket / Koffer:
EconoPACK 3B
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 125 C
Verpackung:
Tablett
Höhe:
17 mm
Länge:
122 mm
Breite:
62 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Montageart:
Chassishalterung
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Produktart:
IGBT-Module
Werkspackungsmenge:
10
Unterkategorie:
IGBTs
Handelsname:
TRENCHSTOP
Teil # Aliase:
FS100R12KE3BOSA1 SP000100416
Gewichtseinheit:
10.582189 oz
Tags
FF200R33KF2C, FF200R3, FF200R, FF200, FF20, FF2
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
FF200R33KF2C IGBT2 IGBT Module
Infineon Technologies FF200R33KF2C IGBT Module offers a collector-emitter voltage of 3300V and a DC-collector current of 330A at 25ºC. The Infineon Technologies FF200R33KF2C IGBT2 Inverter's total power dissipation is 2.20kW and the gate-emitter peak voltage is +/-20V. The inverter is ideal for traction and industry applications.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FF200R33KF2CNOSA1
DISTI # FF200R33KF2CNOSA1-ND
Infineon Technologies AGIGBT MODULE VCES 1200V 200A
RoHS: Not compliant
Min Qty: 4
Container: Bulk
Temporarily Out of Stock
  • 4:$791.5000
FF200R33KF2C
DISTI # FF200R33KF2C
Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 3.3KV 330A 8-pin IHV73-3 (Alt: FF200R33KF2C)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 4
Asia - 0
    FF200R33KF2CNOSA1
    DISTI # FF200R33KF2CNOSA1
    Infineon Technologies AGTRACTION - Trays (Alt: FF200R33KF2CNOSA1)
    RoHS: Not Compliant
    Min Qty: 4
    Container: Tray
    Americas - 0
    • 4:$866.6900
    • 8:$835.3900
    • 16:$805.1900
    • 24:$778.0900
    • 40:$764.2900
    FF200R33KF2CNOSA1
    DISTI # 13AC8642
    Infineon Technologies AGIGBT, MODULE, N-CH, 3.3KV, 330A,Transistor Polarity:N Channel,DC Collector Current:330A,Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.4V,Power Dissipation Pd:2.2kW,Collector Emitter Voltage V(br)ceo:3.3kV,No. of Pins:- RoHS Compliant: No0
      FF200R33KF2CNOSA1Infineon Technologies AGInsulated Gate Bipolar Transistor, 330A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel
      RoHS: Not Compliant
      2
      • 1000:$824.4700
      • 500:$867.8700
      • 100:$903.5300
      • 25:$942.2600
      • 1:$1,014.7400
      FF200R33KF2C
      DISTI # 641-FF200R33KF2
      Infineon Technologies AGIGBT Modules 3300V 200A DUAL
      RoHS: Not compliant
      0
      • 1:$751.9200
      • 5:$739.9000
      FF200R33KF2CNOSA1
      DISTI # 2726126
      Infineon Technologies AGIGBT, MODULE, N-CH, 3.3KV, 330A
      RoHS: Not Compliant
      0
      • 1:$1,478.7000
      • 5:$1,425.8900
      FF200R33KF2CNOSA1
      DISTI # 2726126
      Infineon Technologies AGIGBT, MODULE, N-CH, 3.3KV, 330A
      RoHS: Not Compliant
      0
      • 1:£619.0000
      • 5:£607.0000
      Bild Teil # Beschreibung
      FF200R17KE3

      Mfr.#: FF200R17KE3

      OMO.#: OMO-FF200R17KE3

      IGBT Modules N-CH 1.7KV 390A
      FF200R12KT3_E

      Mfr.#: FF200R12KT3_E

      OMO.#: OMO-FF200R12KT3-E

      IGBT Modules IGBT 1200V 200A
      FF200R12KT4HOSA1

      Mfr.#: FF200R12KT4HOSA1

      OMO.#: OMO-FF200R12KT4HOSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

      IGBT MODULE 1200V 200A
      FF200R06YE3

      Mfr.#: FF200R06YE3

      OMO.#: OMO-FF200R06YE3-125

      IGBT Modules IGBT 600V 200A
      FF200R12KE4P

      Mfr.#: FF200R12KE4P

      OMO.#: OMO-FF200R12KE4P-1190

      Neu und Original
      FF200R12KS4-B2

      Mfr.#: FF200R12KS4-B2

      OMO.#: OMO-FF200R12KS4-B2-1190

      Neu und Original
      FF200R12KS45

      Mfr.#: FF200R12KS45

      OMO.#: OMO-FF200R12KS45-1190

      Neu und Original
      FF200R12KT4 , 1N5365B

      Mfr.#: FF200R12KT4 , 1N5365B

      OMO.#: OMO-FF200R12KT4-1N5365B-1190

      Neu und Original
      FF200R17KE3 , 1N5365BRLG

      Mfr.#: FF200R17KE3 , 1N5365BRLG

      OMO.#: OMO-FF200R17KE3-1N5365BRLG-1190

      Neu und Original
      FF200R12KE4HOSA1

      Mfr.#: FF200R12KE4HOSA1

      OMO.#: OMO-FF200R12KE4HOSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

      Trans IGBT Module N-CH 1200V 240A 1100000mW 7-Pin Tray
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      1988
      Menge eingeben:
      Der aktuelle Preis von FF200R33KF2C dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
      Referenzpreis (USD)
      Menge
      Stückpreis
      ext. Preis
      1
      751,92 $
      751,92 $
      5
      739,90 $
      3 699,50 $
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