DMN95H2D2HCTI

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

ITO-220AB-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

950 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.7 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

20.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

40 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

31 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

49 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

51 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

39 ns

Gewichtseinheit:

0.065257 oz

Tags

DMN95, DMN9, DMN