KSH45H11TM

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

E

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 80 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 1 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

- 8 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

40 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

KSH45H11

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.6 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

6.1 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 8 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

60

Pd - Verlustleistung:

20 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

KSH45H11TM_NL

Gewichtseinheit:

0.009184 oz

Tags

KSH45H11T, KSH45H1, KSH45H, KSH45, KSH4, KSH