IRF1324STRL-7PP

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-7

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

24 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

429 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

800 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

180 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

300 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

HEXFET Leistungs-MOSFET

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

270 S

Abfallzeit:

93 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

240 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

86 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Teil # Aliase:

SP001574484

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

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