CTLDM7120-M832DS BK

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TLM832DS-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

75 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

2.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.65 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Schüttgut

Serie:

CTLDM7120-M832DS

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Zentraler Halbleiter

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

140 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Tags

CTLDM71, CTLDM7, CTLDM, CTLD, CTL