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SIZ720DT-T1-GE3

SIZ720DT-T1-GE3
Mfr. #:
SIZ720DT-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIZ720DT-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Band & Spule (TR)
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
6-PowerPair
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
6-PowerPair
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
Leistung max
27W, 48W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
20V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
825pF @ 10V
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
16A
Rds-On-Max-Id-Vgs
8.7 mOhm @ 16.8A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
23nC @ 10V
Transistor-Polarität
N-Kanal
Tags
SIZ72, SIZ7, SiZ
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 6-Pin PowerPAIR T/R
***
DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S)
***ment14 APAC
MOSFET,NN CH,HALF BR,20V,16A,PPAIR6; Transistor Polarity:N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:4.6W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAIR; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:16A; Drain Source Voltage Vds:20V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):0.007ohm; Power Dissipation Pd:4.6W
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIZ720DT-T1-GE3
DISTI # SIZ720DT-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.6699
SIZ720DT-T1-GE3
DISTI # SIZ720DT-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 16A 6-Pin PowerPAIR T/R - Tape and Reel (Alt: SIZ720DT-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.6329
  • 6000:$0.6139
  • 12000:$0.5889
  • 18000:$0.5729
  • 30000:$0.5569
SIZ720DT-T1-GE3
DISTI # 78-SIZ720DT-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
RoHS: Compliant		0
  • 3000:$0.7250
SIZ720DT-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
RoHS: Compliant		Americas -
    Bild Teil # Beschreibung
    SIZ720DT-T1-GE3

    Mfr.#: SIZ720DT-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SIZ720DT-T1-GE3

    		 MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
    SIZ720DT-T1-GE3

    Mfr.#: SIZ720DT-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SIZ720DT-T1-GE3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    2000
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    1
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    0,84 $
    10
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    7,94 $
    100
    0,75 $
    75,18 $
    500
    0,71 $
    355,00 $
    1000
    0,67 $
    668,30 $
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