IRFS7530-7PPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-7

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

338 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.15 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.7 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

354 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

375 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

StarkIRFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

249 S

Abfallzeit:

79 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

102 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

168 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

24 ns

Teil # Aliase:

SP001565236

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IRFS7530, IRFS753, IRFS75, IRFS7, IRFS, IRF