TK20N60W5,S1VF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

20 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

150 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

55 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

165 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

DTMOSIV

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.95 mm

Länge:

15.94 mm

Serie:

TK20N60W

Breite:

5.02 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

45 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

100 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

90 ns

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

TK20N60W5, TK20N, TK20, TK2