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QPD1000

QPD1000
Mfr. #:
QPD1000
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
QPD1000 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
QPD1000 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
19 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
28 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
817 mA
Ausgangsleistung:
24 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Pd - Verlustleistung:
28.8 W
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
QFN-8
Verpackung:
Tablett
Aufbau:
Single
Arbeitsfrequenz:
30 MHz to 1.215 GHz
Betriebstemperaturbereich:
- 40 C to + 85 C
Serie:
QPD
Marke:
Qorvo
Entwicklungs-Kit:
QPD1000PCB401, QPD1000PCB402
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
100
Unterkategorie:
Transistoren
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
- 2.8 V
Teil # Aliase:
1131140
Tags
QPD100, QPD10, QPD1, QPD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, .03- 1.215 GHz, 15W, 28 V, GaN
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
QPD1000
DISTI # 772-QPD1000		QorvoRF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
RoHS: Compliant		524
  • 1:$58.0000
  • 25:$51.0000
  • 100:$45.0000
QPD1000PCB4B01
DISTI # 772-QPD1000EB1		QorvoRF Development Tools QPD1000 50-1000MHz Eval Board
RoHS: Compliant		3
  • 1:$875.0000
QPD1000PCB4B02
DISTI # 772-QPD1000EB2		QorvoRF Development Tools QPD1000 200-1200MHz Eval Board
RoHS: Compliant		2
  • 1:$875.0000
Bild Teil # Beschreibung
SKY65162-70LF

Mfr.#: SKY65162-70LF

OMO.#: OMO-SKY65162-70LF

 RF Amplifier 400-2700MHz NF 3.6dB Gain 24dB
MIC7300YM5-TR

Mfr.#: MIC7300YM5-TR

OMO.#: OMO-MIC7300YM5-TR

 Operational Amplifiers - Op Amps 2.2V, IttyBitty, Op-Amp with High Drive Capability
MADL-011021-14150T

Mfr.#: MADL-011021-14150T

OMO.#: OMO-MADL-011021-14150T

 PIN Diodes 10MHz-6GHz 2.5W Peak -65C +125C
IRFR5305TRPBF

Mfr.#: IRFR5305TRPBF

OMO.#: OMO-IRFR5305TRPBF

 MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
AA0402JR-073K3L

Mfr.#: AA0402JR-073K3L

OMO.#: OMO-AA0402JR-073K3L

 Thick Film Resistors - SMD 3.3K ohm 5% 50V AEC-Q200
600S5R6AT250XT

Mfr.#: 600S5R6AT250XT

OMO.#: OMO-600S5R6AT250XT

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 250volts 5.6pF
600F4R7BT250XT

Mfr.#: 600F4R7BT250XT

OMO.#: OMO-600F4R7BT250XT

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 250volts 4.7pF NP0
QPD1000PCB4B01

Mfr.#: QPD1000PCB4B01

OMO.#: OMO-QPD1000PCB4B01-1152

 RF Development Tools QPD1000 50-1000MHz Eval Board
MIC7300YM5-TR

Mfr.#: MIC7300YM5-TR

OMO.#: OMO-MIC7300YM5-TR-MICROCHIP-TECHNOLOGY

 Operational Amplifiers - Op Amps
MADL-011021-14150T

Mfr.#: MADL-011021-14150T

OMO.#: OMO-MADL-011021-14150T-MACOM

 RF PIN DIODE
Verfügbarkeit
Aktie:
401
Auf Bestellung:
2384
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
58,00 $
58,00 $
25
51,00 $
1 275,00 $
100
45,00 $
4 500,00 $
250
41,00 $
10 250,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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