IXDP20N60BD1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

IGBT-Transistoren

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Paket / Koffer:

TO-220-3

Montageart:

Durchgangsloch

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

600 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

2.2 V

Maximale Gate-Emitter-Spannung:

20 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:

32 A

Pd - Verlustleistung:

140 W

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

IXDP20N60B

Verpackung:

Rohr

Kontinuierlicher Kollektorstrom Ic Max:

40 A

Höhe:

16 mm

Länge:

10.66 mm

Betriebstemperaturbereich:

- 55 C to + 150 C

Breite:

4.82 mm

Marke:

IXYS

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

32 A

Gate-Emitter-Leckstrom:

500 nA

Produktart:

IGBT-Transistoren

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

IGBTs

Gewichtseinheit:

0.081130 oz

Tags

IXDP, IXD