SQ3585EV-T1_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOP-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.57 A, 2.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

49 mOhms, 140 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

600 mV, 1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

2.5 nC, 3.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

1.67 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Serie:

SQ

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

10 S, 3 S

Abfallzeit:

8 ns, 14 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns, 16 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns, 29 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns, 7 ns

Tags

SQ35, SQ3