BSC022N04LS6ATMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TDSON-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

28 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

79 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

170 S

Abfallzeit:

4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.1 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

16 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns

Tags

BSC022N04, BSC022N, BSC022, BSC02, BSC0, BSC