RZL035P01TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363T-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

26 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

20 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.77 mm

Länge:

2 mm

Serie:

RZL035P01

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.7 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5.5 S

Abfallzeit:

180 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

50 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

350 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Teil # Aliase:

RZL035P01

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

RZL035P01T, RZL03, RZL0, RZL