FJP3307DH2TU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

400 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

700 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

9 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

8 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

9.65 mm (Max)

Länge:

10.67 mm (Max)

Verpackung:

Rohr

Breite:

4.83 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

26

Pd - Verlustleistung:

80000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

FJP3307DH2TU_NL

Gewichtseinheit:

0.080072 oz

Tags

FJP3307, FJP33, FJP3, FJP