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T2G6000528-Q3

T2G6000528-Q3
Mfr. #:
T2G6000528-Q3
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
T2G6000528-Q3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
T2G6000528-Q3 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
15 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
-
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
-
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
650 mA
Ausgangsleistung:
10 W
Maximale Drain-Gate-Spannung:
-
Minimale Betriebstemperatur:
-
Maximale Betriebstemperatur:
-
Pd - Verlustleistung:
12.5 W
Montageart:
SMD/SMT
Verpackung:
Tablett
Anwendung:
Militärisches Radar, professionelle und militärische Funkkommunikation
Aufbau:
Single
Arbeitsfrequenz:
DC to 6 GHz
Serie:
T2G
Marke:
Qorvo
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
-
Entwicklungs-Kit:
T2G6000528-Q3-EVB1, T2G6000528-Q3-EVB3, T2G6000528-Q3-EVB5
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
100
Unterkategorie:
Transistoren
Teil # Aliase:
1099997
Tags
T2G6000528-Q, T2G6000, T2G6, T2G
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 6 GHz, 10W, 13.5 dB, 28 V, GaN
T2G GaN HEMT Transistors
QorvoT2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete GaN on SiC HEMT which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.Learn More
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
T2G6000528-Q3
DISTI # 772-T2G6000528-Q3		QorvoRF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
RoHS: Compliant		291
  • 1:$80.4000
  • 25:$68.0500
  • 100:$57.6000
T2G6000528-Q3 28V
DISTI # 772-T2G6000528-Q328V		QorvoRF JFET Transistors DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
RoHS: Compliant		75
  • 1:$80.4000
  • 25:$68.0500
  • 100:$57.6000
T2G6000528-Q3EVB3
DISTI # 772-T2G6000528-Q3EV		QorvoRF Development Tools 3-3.3GHz Eval Board
RoHS: Compliant		2
  • 1:$875.0000
T2G6000528-Q3, EVAL BOARD
DISTI # 772-T2G6000528-Q3EB		QorvoRF Development Tools DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN Eval Brd
RoHS: Compliant		0
  • 1:$875.0000
Bild Teil # Beschreibung
SE5023L-R

Mfr.#: SE5023L-R

OMO.#: OMO-SE5023L-R

 RF Amplifier 5.15-5.85GHz Gain 32dB P1dB 34dBm
SN65LVDT41QPWREP

Mfr.#: SN65LVDT41QPWREP

OMO.#: OMO-SN65LVDT41QPWREP

 LVDS Interface IC Mil Enhance MemStick Intercon Ext Chipset
2N7002LT1G

Mfr.#: 2N7002LT1G

OMO.#: OMO-2N7002LT1G

 MOSFET 60V 115mA N-Channel
BOOST-CC2564MODA

Mfr.#: BOOST-CC2564MODA

OMO.#: OMO-BOOST-CC2564MODA

 Bluetooth Development Tools (802.15.1) Bluetooth HCI module Booster
EWK212BJ106MD-T

Mfr.#: EWK212BJ106MD-T

OMO.#: OMO-EWK212BJ106MD-T-TAIYO-YUDEN

 CAP CER 10UF 16V X5R 0508
SN65LVDT41QPWREP

Mfr.#: SN65LVDT41QPWREP

OMO.#: OMO-SN65LVDT41QPWREP-TEXAS-INSTRUMENTS

 LVDS Interface IC Mil Enhance MemStick Intercon Ext Chipset
2N7002LT1G

Mfr.#: 2N7002LT1G

OMO.#: OMO-2N7002LT1G-ON-SEMICONDUCTOR

 MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
CRGP0805F1K0

Mfr.#: CRGP0805F1K0

OMO.#: OMO-CRGP0805F1K0-TE-CONNECTIVITY-AMP

 RES, 1K, 1%, 0.33W, 0805, THICK FILM
BOOST-CC2564MODA

Mfr.#: BOOST-CC2564MODA

OMO.#: OMO-BOOST-CC2564MODA-TEXAS-INSTRUMENTS

 BLUETOOTH® CC2564 BOOSTERPACK™ BOARD
XAL4030-332MEC

Mfr.#: XAL4030-332MEC

OMO.#: OMO-XAL4030-332MEC-1190

 Fixed Inductors 3.3uH 20% 6.6A 28.6mOhms AEC-Q200
Verfügbarkeit
Aktie:
236
Auf Bestellung:
2219
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
80,40 $
80,40 $
25
68,05 $
1 701,25 $
100
57,60 $
5 760,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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