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IXTY08N50D2

IXTY08N50D2
Mfr. #:
IXTY08N50D2
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTY08N50D2 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXTY08N50D2 DatasheetIXTY08N50D2 Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-252-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
500 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
800 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
4.6 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
12.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
60 W
Aufbau:
Single
Verpackung:
Rohr
Höhe:
2.38 mm
Länge:
6.22 mm
Serie:
IXTY08N50
Transistortyp:
1 N-Channel
Typ:
MOSFET im Verarmungsmodus
Breite:
6.73 mm
Marke:
IXYS
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
340 mS
Abfallzeit:
52 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
54 ns
Werkspackungsmenge:
70
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
28 ns
Gewichtseinheit:
0.012346 oz
Tags
IXTY08, IXTY0, IXTY, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ure Electronics
N-Channel 500 V 800 mA 4.6 O Surface Mount Depletion Mode Power Mosfet - TO-252
***ical
Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
***i-Key
MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
***el Nordic
Contact for details
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXTY08N50D2
DISTI # IXTY08N50D2-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		2188In Stock
  • 1050:$0.8613
  • 560:$1.0395
  • 140:$1.3365
  • 70:$1.4850
  • 1:$1.8400
IXTY08N50D2
DISTI # 747-IXTY08N50D2		IXYS CorporationMOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA
RoHS: Compliant		1122
  • 1:$1.9200
  • 10:$1.7400
  • 25:$1.5100
  • 50:$1.4200
  • 100:$1.4000
  • 250:$1.1300
  • 500:$1.0900
  • 1000:$0.9010
  • 2500:$0.7560
IXTY08N50D2IXYS CorporationN-Channel 500 V 800 mA 4.6 O Surface Mount Depletion Mode Power Mosfet - TO-252
RoHS: Compliant		30Tube
  • 70:$1.3700
  • 140:$1.0700
  • 350:$1.0200
  • 700:$0.9900
Bild Teil # Beschreibung
2SC6017-TL-E

Mfr.#: 2SC6017-TL-E

OMO.#: OMO-2SC6017-TL-E

 Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V
2SA2169-TL-E

Mfr.#: 2SA2169-TL-E

OMO.#: OMO-2SA2169-TL-E

 Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 50V
BC857CLT1G

Mfr.#: BC857CLT1G

OMO.#: OMO-BC857CLT1G

 Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
ZMM5245B

Mfr.#: ZMM5245B

OMO.#: OMO-ZMM5245B

 Zener Diodes 0.5W 15V 5%
C3D02060F

Mfr.#: C3D02060F

OMO.#: OMO-C3D02060F

 Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 2A
STM32F413CGU6

Mfr.#: STM32F413CGU6

OMO.#: OMO-STM32F413CGU6

 ARM Microcontrollers - MCU 16/32-BITS MICROS
STM32F413CGU6

Mfr.#: STM32F413CGU6

OMO.#: OMO-STM32F413CGU6-STMICROELECTRONICS

 IC MCU 32BIT 1MB FLASH 48UFQFPN
MBB02070C2002FCT00

Mfr.#: MBB02070C2002FCT00

OMO.#: OMO-MBB02070C2002FCT00-VISHAY

 Thin Film Resistors - Through Hole .6w 20Kohms 1%
4180G

Mfr.#: 4180G

OMO.#: OMO-4180G-AAVID-THERMALLOY

 Aluminum Oxide Ceramic
2SA2169-TL-E

Mfr.#: 2SA2169-TL-E

OMO.#: OMO-2SA2169-TL-E-ON-SEMICONDUCTOR

 Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 50V
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1986
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ext. Preis
1
1,67 $
1,67 $
10
1,51 $
15,10 $
25
1,43 $
35,75 $
50
1,35 $
67,50 $
100
1,21 $
121,00 $
250
1,13 $
282,50 $
500
0,94 $
472,50 $
1000
0,78 $
783,00 $
2500
0,76 $
1 890,00 $
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