NX6020CAKSX

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSSOP-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V, 50 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

170 mA, 160 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.5 Ohms, 7.5 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V, 2.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

0.43 nC, 0.35 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

330 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Marke:

Nexperia

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

230 mS, 150 mS

Abfallzeit:

14 ns, 25 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7 ns, 11 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20 ns, 48 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns, 13 ns

Tags

NX602, NX60, NX6