TPC6009-H(TE85L,FM

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

VS6-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

98 mOhms

Pd - Verlustleistung:

2.2 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.7 mm

Länge:

2.9 mm

Serie:

TPC6009-H

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.6 mm

Marke:

Toshiba

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Tags

TPC600, TPC60, TPC6, TPC