SIHU5N50D-E3

SIHU5N50D-E3
Mfr. #:
SIHU5N50D-E3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIHU5N50D-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIHU5N50D-E3 DatasheetSIHU5N50D-E3 Datasheet (P4-P6)SIHU5N50D-E3 Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
SIHU5N50D-E3 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Vishay
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-251-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
500 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
5.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
1.5 Ohms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
5 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
10 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
104 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Serie:
D
Marke:
Vishay / Siliconix
Abfallzeit:
11 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
11 ns
Werkspackungsmenge:
75
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
14 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
12 ns
Teil # Aliase:
SIHU5N50D-GE3
Gewichtseinheit:
0.011640 oz
Tags
SIHU5, SIHU, SIH
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA
***ark
MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-251-3
*** Europe
D SERIES MOSFET N-CHANNEL 500V
D-Series High Voltage Power MOSFETs
Vishay Siliconix's D-Series High Voltage Power MOSFETs are Vishay's next-generation high voltage N-Channel MOSFETs available in 400V, 500V and 600V ratings. These new devices combines low specific on-resistance with ultra-low gate charge, currents from 3.0A to 36A and are available in a wide range of packages. Features include Vishay's new high-voltage stripe technology, on-resistance down to 0.13Ω, gate charge down to 6nC, best-in-class gate charge times on-resistant figures of merit (FOM) down to 7.65 Ω-nC, and avalanche rated for reliable operation. Typical applications include high-power, high-performance switch mode applications, including server and telecom power systems, welding, plasma cutting, battery chargers, ballast light, high-intensity discharge (HID) lighting, semiconductor capital equipment, and induction heating.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIHU5N50D-E3
DISTI # SIHU5N50D-E3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.5199
SIHU5N50D-E3
DISTI # SIHU5N50D-E3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA (Alt: SIHU5N50D-E3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Europe - 0
  • 1000:€0.3999
  • 500:€0.4039
  • 100:€0.4119
  • 50:€0.4179
  • 25:€0.4719
  • 10:€0.5819
  • 1:€0.8119
SIHU5N50D-E3
DISTI # SIHU5N50D-E3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA - Tape and Reel (Alt: SIHU5N50D-E3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
Americas - 0
  • 30000:$0.4529
  • 18000:$0.4659
  • 12000:$0.4789
  • 6000:$0.4989
  • 3000:$0.5139
SIHU5N50D-E3
DISTI # 04X9742
Vishay IntertechnologiesMOSFET, N CHANNEL, 500V, 5.3A, TO-251-3,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:5.3A,Drain Source Voltage Vds:500V,On Resistance Rds(on):1.2ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:3V,MSL:- RoHS Compliant: Yes0
  • 1000:$0.6940
  • 500:$0.7820
  • 250:$0.9340
  • 100:$1.0300
  • 50:$1.1500
  • 25:$1.2600
  • 1:$1.3300
SIHU5N50D-E3
DISTI # 99W9519
Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-251-3, FULL REEL,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:5.3A,Drain Source Voltage Vds:500V,On Resistance Rds(on):1.2ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:3V RoHS Compliant: Yes0
  • 10000:$0.4500
  • 6000:$0.4600
  • 4000:$0.4780
  • 2000:$0.5310
  • 1000:$0.5840
  • 1:$0.6090
SIHU5N50D-GE3
DISTI # 78-SIHU5N50D-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
RoHS: Compliant
308
  • 1:$1.0500
  • 10:$0.8650
  • 100:$0.6630
  • 500:$0.5710
  • 1000:$0.4500
SIHU5N50D-E3
DISTI # 78-SIHU5N50D-E3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$0.4960
  • 6000:$0.4710
  • 9000:$0.4530
SIHU5N50D-E3Vishay Intertechnologies 2775
    SIHU5N50D-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
    RoHS: Compliant
    Americas -
      Bild Teil # Beschreibung
      SIHU5N50D-E3

      Mfr.#: SIHU5N50D-E3

      OMO.#: OMO-SIHU5N50D-E3

      MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
      SIHU5N50D-GE3

      Mfr.#: SIHU5N50D-GE3

      OMO.#: OMO-SIHU5N50D-GE3

      MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
      SIHU5N50D

      Mfr.#: SIHU5N50D

      OMO.#: OMO-SIHU5N50D-1190

      Neu und Original
      SIHU5N50D-E3

      Mfr.#: SIHU5N50D-E3

      OMO.#: OMO-SIHU5N50D-E3-VISHAY

      MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK
      SIHU5N50D-GE3

      Mfr.#: SIHU5N50D-GE3

      OMO.#: OMO-SIHU5N50D-GE3-VISHAY

      MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      3500
      Menge eingeben:
      Der aktuelle Preis von SIHU5N50D-E3 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
      Referenzpreis (USD)
      Menge
      Stückpreis
      ext. Preis
      3000
      0,50 $
      1 488,00 $
      6000
      0,47 $
      2 826,00 $
      9000
      0,45 $
      4 077,00 $
      24000
      0,44 $
      10 536,00 $
      Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
      Beginnen mit
      Neueste Produkte
      Top