DMT10H010LSS-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

29.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

14.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

53.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.9 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMT10H010

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

22 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

14.1 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

42.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11.6 ns

Gewichtseinheit:

0.017870 oz

Tags

DMT10H010L, DMT10H010, DMT10H01, DMT10H0, DMT10, DMT1, DMT