IXFX120N30T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

300 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

120 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

24 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

265 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

960 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

21.34 mm

Länge:

16.13 mm

Serie:

IXFX120N30

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

GigaMOS Leistungs-MOSFET

Breite:

5.21 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

70 S

Abfallzeit:

23 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

31 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

87 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

32 ns

Gewichtseinheit:

0.257500 oz

Tags

IXFX120, IXFX12, IXFX1, IXFX, IXF