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IXGH30N120BD1

IXGH30N120BD1
Mfr. #:
IXGH30N120BD1
Hersteller:
IXYS
Beschreibung:
MOSFET 50 Amps 1200V 3.5 V Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXGH30N120BD1 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
IXYS
Produktkategorie
IGBTs - Single
Serie
IXGH30N120
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
0.229281 oz
Montageart
Durchgangsloch
Paket-Koffer
TO-247-3
Technologie
Si
Eingabetyp
Standard
Befestigungsart
Durchgangsloch
Lieferanten-Geräte-Paket
TO-247AD (IXGH)
Leistung max
-
Reverse-Recovery-Time-trr
-
Strom-Kollektor-Ic-Max
50A
Spannungs-Kollektor-Emitter-Breakdown-Max
1200V
IGBT-Typ
-
Strom-Kollektor-gepulster-Icm
-
Vce-on-Max-Vge-Ic
-
Schaltenergie
-
Gate-Gebühr
-
Td-ein-aus-25°C
-
Testbedingung
-
ID-Dauer-Drain-Strom
50 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1200 V
Tags
IXGH30N12, IXGH30N1, IXGH30, IXGH3, IXGH, IXG
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
IGBT 1200V 50A TO247
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
***icroelectronics
Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop
***nell
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 50A, TO-247-3; DC Collector Current: 50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. of P
***ernational Rectifier
1200V UltraFast Discrete IGBT in a TO-247 package with UltraFast Soft Recovery Diode
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
***ment14 APAC
TRANSISTOR, BIPOLAR, N CHANNEL, 1.2KV, TO-247AD; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.9V; Power Dissipation Pd:180W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:3Pins; Product Range:-
***icroelectronics
Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
***nell
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 50A, TO-247-3; DC Collector Current: 50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.85V; Power Dissipation Pd: 375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. of
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
***r Electronics
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
***ure Electronics
IGBT Transistors 1200V/25 FAST IGBT FSII T
***i-Key
IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247
***icroelectronics
Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
***nell
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 50A, TO-247-3; DC Collector Current: 50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. of P
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXGH30N120BD1
DISTI # IXGH30N120BD1-ND		IXYS CorporationIGBT 1200V 50A TO247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$10.7193
IXGH30N120BD1
DISTI # 747-IXGH30N120BD1		IXYS CorporationMOSFET 50 Amps 1200V 3.5 V Rds
RoHS: Compliant		0
    Bild Teil # Beschreibung
    IXGH30N120H

    Mfr.#: IXGH30N120H

    OMO.#: OMO-IXGH30N120H-1190

    		 Neu und Original
    IXGH30N140A3

    Mfr.#: IXGH30N140A3

    OMO.#: OMO-IXGH30N140A3-1190

    		 Neu und Original
    IXGH30N60AU1

    Mfr.#: IXGH30N60AU1

    OMO.#: OMO-IXGH30N60AU1-1190

    		 Neu und Original
    IXGH30N60BD1

    Mfr.#: IXGH30N60BD1

    OMO.#: OMO-IXGH30N60BD1-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT 600V 60A 200W TO247
    IXGH30N60BU1

    Mfr.#: IXGH30N60BU1

    OMO.#: OMO-IXGH30N60BU1-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT 600V 60A 200W TO247AD
    IXGH30N60C2

    Mfr.#: IXGH30N60C2

    OMO.#: OMO-IXGH30N60C2-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT 600V 70A 190W TO247
    IXGH30N60CD1

    Mfr.#: IXGH30N60CD1

    OMO.#: OMO-IXGH30N60CD1-1190

    		 Neu und Original
    IXGH30N60U1

    Mfr.#: IXGH30N60U1

    OMO.#: OMO-IXGH30N60U1-1190

    		 MOSFET 30 Amps 600V
    IXGH30N60C3

    Mfr.#: IXGH30N60C3

    OMO.#: OMO-IXGH30N60C3-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT Modules 30 Amps 600V
    IXGH30N60C3D1

    Mfr.#: IXGH30N60C3D1

    OMO.#: OMO-IXGH30N60C3D1-IXYS-CORPORATION

    		 IGBT Modules High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    1500
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    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    16,08 $
    16,08 $
    10
    15,28 $
    152,75 $
    100
    14,47 $
    1 447,11 $
    500
    13,67 $
    6 833,55 $
    1000
    12,86 $
    12 863,20 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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