IRF7701TRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSSOP-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

69 nC

Pd - Verlustleistung:

1.5 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.2 mm

Länge:

4.4 mm

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3 mm

Marke:

Infineon / IR

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

SP001559976

Gewichtseinheit:

0.005573 oz

Tags

IRF7701, IRF770, IRF77, IRF7, IRF