NTD32N06T4G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

32 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

26 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

93.75 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.38 mm

Länge:

6.73 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

21.1 S

Abfallzeit:

93 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

84 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

31 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

NTD32, NTD3, NTD