SSM6L36FE,LM

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

ES6-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

500 mA, 330 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

460 mOhms, 950 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

350 mV, 1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V, 8 V

Qg - Gate-Ladung:

1.23 nC, 1.2 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

150 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.55 mm

Länge:

1.6 mm

Serie:

SSM6L36

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Breite:

1.2 mm

Marke:

Toshiba

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

75 ns, 200 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

30 ns, 90 ns

Tags

SSM6L36F, SSM6L36, SSM6L3, SSM6L, SSM6, SSM