BUR51

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

200 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

300 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

10 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

60 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

16 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

BUR51

DC-Stromverstärkung hFE Max:

100

Höhe:

8.7 mm (Max)

Länge:

39.5 mm (Max)

Verpackung:

Rohr

Breite:

26.2 mm (Max)

Marke:

STMicroelectronics

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

60 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

20

Pd - Verlustleistung:

350 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

20

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.225789 oz

Tags

BUR5, BUR