RS1G120MNTB

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

HSOP-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

20.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

9.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

25 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

5.8 mm

Produkt:

MOSFET

Transistortyp:

1 N-channel

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

5 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4 S

Abfallzeit:

3.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.3 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

23.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.7 ns

Teil # Aliase:

RS1G120MN

Gewichtseinheit:

0.002490 oz

Tags

RS1G120M, RS1G12, RS1G1, RS1G, RS1