QSZ2TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Polarität des Transistors:

NPN, PNP

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

30 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

30 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

140 mV, - 200 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

300 MHz, 280 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

QSZ2

DC-Stromverstärkung hFE Max:

270 at 100 mA, 2 V

Höhe:

0.85 mm

Länge:

2.9 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.6 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

270 at 100 mA, 2 V

Pd - Verlustleistung:

1.25 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

QSZ2

Tags

QSZ2, QSZ