TK040N65Z,S1F

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

57 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

40 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

105 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

360 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Serie:

TK040N65Z

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

65 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

170 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

120 ns

Tags

TK040, TK04, TK0