TK4A60D(STA4,Q,M)

TK4A60D(STA4,Q,M)
Mfr. #:
TK4A60D(STA4,Q,M)
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET N-Ch FET 600V 2.5s IDSS 10 uA
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK4A60D(STA4,Q,M) Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK4A60D(STA4,Q,M) DatasheetTK4A60D(STA4,Q,M) Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220FP-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
1.7 Ohms
Aufbau:
Single
Höhe:
15 mm
Länge:
10 mm
Serie:
TK4A60D
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.5 mm
Marke:
Toshiba
Produktart:
MOSFET
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Tags
TK4A60D(S, TK4A60, TK4A6, TK4A, TK4
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Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
*** Americas
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
***
600V PWR MOS PD=35W F=1MHZ
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TK4A60D(STA4,Q,M)
DISTI # TK4A60D(STA4QM)-ND
Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS
RoHS: Compliant
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
    TK4A60D(STA4,Q,M)
    DISTI # TK4A60D(STA4,Q,M)
    Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS - Rail/Tube (Alt: TK4A60D(STA4,Q,M))
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 50
    Container: Tube
    Americas - 0
      TK4A60D(STA4,Q,M)
      DISTI # 757-TK4A60DSTA4QM
      Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-Ch FET 600V 2.5s IDSS 10 uA
      RoHS: Compliant
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      Bild Teil # Beschreibung
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      Mfr.#: TK4A60D(STA4,Q,M)

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      MOSFET N-Ch FET 600V 2.5s IDSS 10 uA
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      MOSFET N-Ch FET 600V 2.5s IDSS 10 uA
      TK4A60D(STA4

      Mfr.#: TK4A60D(STA4

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      TK4A60D(STA4 Q M)

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