NSS20201MR6T1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOP-6

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

20 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.15 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

200 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

NSS20201MR6

Höhe:

0.94 mm

Länge:

3 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.5 mm

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

2 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

300

Pd - Verlustleistung:

460 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000705 oz

Tags

NSS20201, NSS202, NSS2, NSS