IXTA10P50P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263AA-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

50 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

300 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.41 mm

Serie:

IXTA10P50P

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

9.65 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6.5 S

Abfallzeit:

44 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

28 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

52 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXTA10P5, IXTA10P, IXTA10, IXTA1, IXTA, IXT