NVD5890NT4G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

123 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.9 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

74 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

107 W

Aufbau:

Single

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Serie:

NVD5890N

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

16.8 S

Abfallzeit:

7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

55 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

NVD589, NVD58, NVD5, NVD