FDB3632_F085

Mfr. #:: FDB3632_F085
Hersteller:: Fairchild Semiconductor
Beschreibung:: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
Lebenszyklus:: Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:: FDB3632_F085 Datenblatt
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ECAD Model:

Produkteigenschaft
Attributwert

Hersteller: Fairchild Semiconductor

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Verpackung: Spule

Gewichtseinheit: 0.046296 oz

Montageart: SMD/SMT

Paket-Koffer: TO-252-3

Technologie: Si

Anzahl der Kanäle: 1 Channel

Aufbau: Single

Transistor-Typ: 1 N-Channel

Pd-Verlustleistung: 310 W

Maximale-Betriebstemperatur: + 175 C

Mindest-Betriebstemperatur: - 55 C

Abfallzeit: 46 ns

Anstiegszeit: 39 ns

Vgs-Gate-Source-Spannung: 20 V

ID-Dauer-Drain-Strom: 80 A

Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage: 100 V

Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage: 2 V to 4 V

Rds-On-Drain-Source-Widerstand: 7.5 mOhms

Transistor-Polarität: N-Kanal

Typische-Ausschaltverzögerungszeit: 96 ns

Typische-Einschaltverzögerungszeit: 30 ns

Qg-Gate-Ladung: 84 nC

Tags: FDB363, FDB36, FDB3, FDB

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Market price

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