FCH077N65F-F155

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

54 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

68 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

126 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

481 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

SuperFET II

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.82 mm

Länge:

15.87 mm

Serie:

FCH077N65F

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.82 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

42 S

Abfallzeit:

5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

35 ns

Werkspackungsmenge:

450

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

113 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

40 ns

Teil # Aliase:

FCH077N65F_F155

Gewichtseinheit:

0.225401 oz

Tags

FCH077N65F-F, FCH077, FCH07, FCH0, FCH