NTD4855N-35G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

18 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.3 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

2.24 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

6.22 mm

Länge:

6.73 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.38 mm

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

10.74 ns, 4.35 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

31.48 ns, 16.52 ns

Werkspackungsmenge:

75

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20.28 ns, 32.02 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

17.75 ns, 10.01 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

NTD4855, NTD485, NTD48, NTD4, NTD