NTR0202PLT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

400 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

800 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

2.18 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

225 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.94 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

NTR0202PL

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.3 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.5 S

Abfallzeit:

4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

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