KSE5020S

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-126-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

500 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

800 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

18 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

50

Höhe:

11 mm

Länge:

8 mm

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

3.25 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

3 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

15

Pd - Verlustleistung:

30 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.026843 oz

Tags

KSE5020, KSE50, KSE5, KSE