SI4493DY-T1-GE3

SI4493DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4493DY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 14A 3.0W 7.75mohm @ 4.5V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI4493DY-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay / Siliconix
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI4493DY-GE3
Gewichtseinheit
0.006596 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SOIC-Narrow-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 P-Channel
Pd-Verlustleistung
1.5 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Vgs-Gate-Source-Spannung
12 V
ID-Dauer-Drain-Strom
10 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 20 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
7.75 mOhms
Transistor-Polarität
P-Kanal
Tags
SI449, SI44, SI4
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4493DY-T1-GE3
DISTI # SI4493DY-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI4493DY-T1-GE3
    DISTI # 781-SI4493DY-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 14A 3.0W 7.75mohm @ 4.5V
    RoHS: Compliant
    0
      Bild Teil # Beschreibung
      SI4493DY-T1-E3

      Mfr.#: SI4493DY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4493DY-T1-E3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4477DY-GE3
      SI4493DY-T1-GE3

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      OMO.#: OMO-SI4493DY-T1-GE3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4477DY-GE3
      SI4493DY-T1-E3

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      OMO.#: OMO-SI4493DY-T1-E3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 14A 1.5W
      SI4493DY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4493DY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4493DY-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 14A 3.0W 7.75mohm @ 4.5V
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