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BZD27C11P-M3-08

BZD27C11P-M3-08
Mfr. #:
BZD27C11P-M3-08
Hersteller:
Vishay Semiconductors
Beschreibung:
Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-M3
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
BZD27C11P-M3-08 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
BZD27C11P-M3-08 DatasheetBZD27C11P-M3-08 Datasheet (P4-P6)BZD27C11P-M3-08 Datasheet (P7)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
BZD27C11P-M3-08 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Vishay
Produktkategorie:
Zener-Dioden
RoHS:
Y
Vz - Zenerspannung:
11 V
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
DO-219AB-2
Pd - Verlustleistung:
2.3 W
Spannungs-Temperatur-Koeffizient:
0.1 %/C
Zz - Zener-Impedanz:
4 Ohms
Minimale Betriebstemperatur:
- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Aufbau:
Single
Teststrom:
50 mA
Verpackung:
Spule
Serie:
BZD27C-M
Höhe:
1.08 mm
Länge:
3.9 mm
Breite:
1.9 mm
Marke:
Vishay Semiconductors
Ir - Gegenstrom:
4 uA
Produktart:
Zener-Dioden
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
Dioden & Gleichrichter
Handelsname:
eSMP
Vf - Durchlassspannung:
1.2 V
Tags
BZD27C11P-M, BZD27C11P, BZD27C11, BZD27C1, BZD27C, BZD27, BZD2, BZD
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M3
eSMP® SMF BZD27 Zener Diodes
Vishay eSMP® SMF BZD27 Zener Diodes are housed in low-profile, surface-mount packages and feature Surge Current Specification. The sillicon planar Zener diodes have a low leakage current with excellent stability. The diodes meet MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260°C and meet JESD 201 class 2 whisker test. AEC-Q101 qualified diodes are available and indicated by base P/N-HE3.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
BZD27C11P-M3-08
DISTI # BZD27C11P-M3-08-ND		Vishay SemiconductorsDIODE ZENER 800MW SMF DO219-M3
RoHS: Compliant
Min Qty: 30000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 30000:$0.1400
BZD27C11P-M3-08
DISTI # BZD27C11P-M3-08		Vishay IntertechnologiesZENER DIODE SMF DO219-M3 - Tape and Reel (Alt: BZD27C11P-M3-08)
RoHS: Compliant
Min Qty: 30000
Container: Reel		Americas - 0
  • 30000:$0.1449
  • 36000:$0.1409
  • 66000:$0.1349
  • 150000:$0.1309
  • 300000:$0.1279
BZD27C11P-M3-08
DISTI # 78-BZD27C11P-M3-08		Vishay IntertechnologiesZener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-M3
RoHS: Compliant		2990
  • 1:$0.4800
  • 10:$0.3620
  • 100:$0.2690
  • 500:$0.2210
  • 1000:$0.1710
  • 3000:$0.1550
Bild Teil # Beschreibung
SDSDAF3-008G-XI

Mfr.#: SDSDAF3-008G-XI

OMO.#: OMO-SDSDAF3-008G-XI

 Memory Cards 8GB Industrial SD Card -40C to 85C
24CW160T-I/OT

Mfr.#: 24CW160T-I/OT

OMO.#: OMO-24CW160T-I-OT

 EEPROM 16 Kbit I2C Serial EEPROM with Software Write Protection, Industrial Temp
MT29F4G08ABAFAWP-IT:F

Mfr.#: MT29F4G08ABAFAWP-IT:F

OMO.#: OMO-MT29F4G08ABAFAWP-IT-F

 NAND Flash SLC 4G 512MX8 TSOP
LQM18PN1R0MFHD

Mfr.#: LQM18PN1R0MFHD

OMO.#: OMO-LQM18PN1R0MFHD

 Fixed Inductors 1 UH 20%
BLE113-A-V1

Mfr.#: BLE113-A-V1

OMO.#: OMO-BLE113-A-V1

 Bluetooth Modules (802.15.1) Low Power Bluetooth Smart Module, 128K Flash, Integrated Antenna, Integrated Software Stack. Firmware SDK 1.3.2 build 122
LQM18PN1R0MFHD

Mfr.#: LQM18PN1R0MFHD

OMO.#: OMO-LQM18PN1R0MFHD-MURATA-ELECTRONICS

 Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.3A 163mOhm DCR 0603 T/R
MLZ2012N2R2LT000

Mfr.#: MLZ2012N2R2LT000

OMO.#: OMO-MLZ2012N2R2LT000-TDK

 Fixed Inductors
BLE113-A-V1

Mfr.#: BLE113-A-V1

OMO.#: OMO-BLE113-A-V1-SILICON-LABS

 RF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANT
C1210C106K4RACAUTO

Mfr.#: C1210C106K4RACAUTO

OMO.#: OMO-C1210C106K4RACAUTO-1190

 CAP, 10F, 16V, 10%, X7R, 1210
C0603C104K5RECAUTO

Mfr.#: C0603C104K5RECAUTO

OMO.#: OMO-C0603C104K5RECAUTO-KEMET

 Cap Ceramic 0.1uF 50V X7R 10% Pad SMD 0603 125C Automotive T/R
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1985
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ext. Preis
1
0,47 $
0,47 $
10
0,36 $
3,62 $
100
0,27 $
26,90 $
500
0,22 $
110,50 $
1000
0,17 $
171,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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