CSD13380F3T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PICOSTAR-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

76 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

550 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

1.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.4 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.35 mm

Länge:

0.73 mm

Serie:

CSD13380F3

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

0.64 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4.3 S

Abfallzeit:

3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4 ns

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

11 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4 ns

Gewichtseinheit:

0.000011 oz

Tags

CSD1338, CSD133, CSD13, CSD1, CSD